功率半导体，密集涨价

2026 年开年以来，功率半导体行业迎来密集涨价潮，AI 数据中心是核心推手，同时碳化硅和氮化镓等第三代半导体正加速扩产以迎接 AI 数据中心带来的新需求。

文章报道了 2026 年功率半导体行业的涨价潮。英飞凌、德州仪器等海外厂商率先涨价，宏微科技、捷捷微电、新洁能等国内厂商随后跟涨，MOSFET 和 IGBT 产品涨幅在 10%至 20%之间。涨价的核心推手是 AI 数据中心对 8 英寸晶圆产能的挤占，叠加新能源车需求增长和上游原材料、代工封测成本上涨。供给端，台积电、三星持续削减 8 英寸成熟制程产能，导致供需紧张预计将持续 6 至 12 个月。与此同时，英伟达确立的 800V 高压直流（HVDC）架构为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体开辟了新的增长空间，国内外厂商正密集扩产以抢占市场。

- AI 数据中心是功率半导体涨价的核心推手。 AI 数据中心对高压 MOSFET 等功率器件的需求激增，挤占了 8 英寸晶圆产能，导致 MOSFET 和 IGBT 等产品供应短缺，价格普遍上涨 10%至 20%。

- 近期产品价格上调了 10%，所有类型产品类型都有涨价。

• AI 专用数据中心的部署导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺。
• AIDC 将成为第三代半导体的下一个爆发式增长市场，需求强劲且明确。

AI 初评：82

来源：财联社

作者：财联社

分类：商业科技

语言：中文

阅读时间：15 分钟

字数：3658

标签： 功率半导体, 涨价, AI数据中心, MOSFET, IGBT

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