内存狂飙，机构最新数据：价格涨幅不是 55%～60%，而是接近翻倍

📌 一句话摘要

TrendForce 最新数据显示，2026 年第一季度 DRAM 合约价涨幅从 55-60% 上修至 90-95%，NAND Flash 从 33-38% 上调至 55-60%，AI 需求正重塑存储芯片行业的周期性特征。

📝 详细摘要

本文综合多家机构数据与上市公司财报，报道了 2026 年存储芯片价格持续飙升的现状。TrendForce 全面上修一季度 DRAM 合约价涨幅至 90-95%，NAND Flash 涨幅至 55-60%。文章引用三星电子、SK 海力士、美光科技三家存储巨头的季度业绩，显示营收与利润均创历史新高，其中 SK 海力士营业利润率高达 72%。此外，文章提及 Roundhill Memory ETF（DRAM）上市后规模迅速突破 150 亿美元，超越贝莱德比特币 ETF 此前纪录。文章以事实和数据呈现为主，未做深度分析或风险提示。

💡 主要观点

- DRAM 合约价涨幅从 55-60% 上修至 90-95%，NAND Flash 从 33-38% 上调至 55-60%。 TrendForce 基于 AI 与数据中心需求加剧供需失衡的判断，全面上修一季度存储芯片价格涨幅，且不排除进一步上修空间。

存储巨头一季度业绩创历史新高，SK 海力士营业利润率高达 72%。 三星电子、SK 海力士、美光科技营收与利润均大幅增长，SK 海力士在 HBM 市场占据 58% 份额，成为英伟达核心供应商。

存储芯片 ETF（DRAM）上市后规模迅速突破 150 亿美元，超越贝莱德比特币 ETF 纪录。 该 ETF 前十大重仓股覆盖全球主要存储龙头，自上市以来涨幅超 150%，反映市场对存储板块的强烈看好。

📊 文章信息

AI 初评：78

来源：每日经济新闻

作者：每日经济新闻

分类：投资财经

语言：中文

阅读时间：7 分钟

字数：1522

标签：投资与市场, 宏观经济, 半导体, 存储芯片, AI 硬件与芯片

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内存狂飙，机构最新数据：价格涨幅不是 55%～60%，而是接近翻倍

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