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替代 DUV,光芯片赛道迎来国产首台纳米压印光刻机

📅 2026-06-05 09:21 半导体行业观察 商业科技 1 分鐘 1067 字 評分: 82
半导体 光芯片 纳米压印 光刻机 国产替代
📌 一句话摘要 璞璘科技交付国产首台真空气压式晶圆级纳米压印光刻机 PL-AS,并基于该设备实现 8 英寸光芯片晶圆规模化量产验证,单片成本降至 DUV 方案的十分之一。 📝 详细摘要 文章报道了璞璘科技于 2026 年 6 月 5 日向深圳力策科技交付 PL-AS 真空气压式晶圆级纳米压印光刻机,并宣布基于该设备成功实现 8 英寸光芯片晶圆的规模化量产验证,单片制造成本压缩至传统 DUV 方案的十分之一。文章详细介绍了璞璘科技从 2025 年 8 月交付首台步进式纳米压印系统 PL-SR 到本次 PL-AS 的跨越,解释了真空气压式面接触压印的原理优势(残余层厚度偏差 💡 主要观点 璞

📌 一句话摘要

璞璘科技交付国产首台真空气压式晶圆级纳米压印光刻机 PL-AS,并基于该设备实现 8 英寸光芯片晶圆规模化量产验证,单片成本降至 DUV 方案的十分之一。

📝 详细摘要

文章报道了璞璘科技于 2026 年 6 月 5 日向深圳力策科技交付 PL-AS 真空气压式晶圆级纳米压印光刻机,并宣布基于该设备成功实现 8 英寸光芯片晶圆的规模化量产验证,单片制造成本压缩至传统 DUV 方案的十分之一。文章详细介绍了璞璘科技从 2025 年 8 月交付首台步进式纳米压印系统 PL-SR 到本次 PL-AS 的跨越,解释了真空气压式面接触压印的原理优势(残余层厚度偏差

💡 主要观点

- 璞璘科技交付的 PL-AS 真空气压式纳米压印光刻机,实现了 8 英寸光芯片晶圆的规模化量产验证。 该设备采用面接触压印原理,残余层厚度偏差控制在

真空气压式方案从原理上解决了传统纳米压印的均匀性与效率矛盾。 气体像空气垫一样均匀施压,真空环境避免气泡缺陷,结构简化降低了设备投资与维护成本,使其在光芯片制造中具备显著成本优势。
此次交付标志着国产纳米压印从装备突破走向工艺替代,并形成设备-材料-工艺的自主闭环。 璞璘科技同时掌握板压、气压、辊压及步进式四种核心工艺,并自主配套压印胶材料体系,在光芯片这一细分赛道开辟了一条自主可控的新路。

💬 文章金句

- PL-AS 不是一台实验室级别的验证设备,而是一台可以直接替换产线中 DUV 光刻机的量产型装备。

  • 在光芯片领域,纳米压印已不再是「备胎」,而是成为比 DUV 更具成本优势的量产首选方案。

📊 文章信息

AI 初评:82

来源:半导体行业观察

作者:半导体行业观察

分类:商业科技

语言:中文

阅读时间:11 分钟

字数:2639

标签: 半导体, 光芯片, 纳米压印, 光刻机, 国产替代

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查看原文 → 發佈: 2026-06-05 09:21:00 收錄: 2026-06-05 14:00:10

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