Title: 铠侠，第十代 NAND 送样 | BestBlogs.dev
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Published Time: 2026-07-04 22:32:00
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Kioxia announces 10th generation BiCS FLASH 3D NAND chips have been sampled with mass production planned for 2027, significant technical improvements, and AI inference demand identified as the core driving force. 
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原创 宋子乔 2026-07-04 22:32 上海
当地时间7月3日，铠侠宣布，其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片已送样。
据日经新闻报道，铠侠预计在2027年启动量产。
第十代NAND是铠侠迄今技术规格最高的闪存产品，将应用于数据中心的固态硬盘产品线中，以满足日益增长的AI存储需求，并将采用铠侠位于日本岩手县北上工厂Fab2的先进设备进行生产。
铠侠介绍，通过利用CBA（CMOS直接键合阵列）技术以及OPS（间距选择栅极漏极）技术，新产品实现了4.8Gb/s的NAND接口速度。与第八代产品相比，性能提升了33%；通过堆叠332层并提高横向密度，新产品位密度提高了59%（产品密度是指产品内部存储芯片的密度，而非最终用户可用于数据存储的内存容量）；此外，写入和读取的功耗效率分别提高了18%和30%，有助于降低数据中心和企业基础设施的能耗。
铠侠5月15日发布财报指引称，受AI产业普及带动，数据中心存储需求将持续高景气，公司预计2026财年第二季度（4-6月）合并营业收入同比大幅增长410%，至1.75万亿日元；合并营业利润同比暴涨2791%，达到1.298万亿日元；合并净利润同比飙升4649%，录得8690亿日元，营收、营业利润、净利润三项指标均将刷新历史纪录。
针对NAND闪存行业前景，铠侠判断：2026年行业增速预计为15%-19%，到2027年市场将进入供不应求的阶段。
在6月25日的股东大会上，铠侠总裁兼CEO Hiroo Ota表示，收到了许多客户希望签订长期协议（LTA）的请求，NAND闪存业务的核心是AI，尤其受益于推理AI，随着AI智能体的兴起以及AI技术在机器人等领域的应用普及，闪存市场的扩张空间将进一步打开。
铠侠发布新品的同时，韩国厂商正加紧扩产。
SK海力士7月2日宣布，计划在忠清北道清州市投资100万亿韩元进行大规模扩产，其中，SK海力士将于明年启动全新晶圆厂“M17”的建设，预计在2029年前投入80万亿韩元（约514.6亿美元）用于NAND闪存芯片生产。
另外，三星电子也计划在其平泽园区P5工厂新建NAND生产线，洁净室预计明年完工。若计划落实，这将是三星自P3工厂以来首次大规模扩充NAND产能。
不过当下，由于消费端需求放缓，机构预计NAND闪存的涨价幅度可能放缓。
根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第三季，NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减。 