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铠侠，考虑建新厂
Kioxia's president stated that, driven by increased data center demand from the proliferation of AI, the company is evaluating the construction of a third building (K3) at its Kitakami plant and has begun shipping samples of its 10th-generation NAND Flash featuring 332-layer stacking technology. 
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半导体芯闻 2026-07-06 18:06 安徽
半导体芯闻：为了因应需求增加，日本NAND型快闪记忆体(Flash Memory)大厂铠侠(Kioxia)评估盖新厂。
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为了因应需求增加，日本NAND型快闪记忆体(Flash Memory)大厂铠侠(Kioxia)评估盖新厂。
读卖新闻上周五(3日)报导，因AI普及，来自资料中心的需求增加，铠侠评估兴建新厂房。铠侠北上工厂第2厂房(K2)于2025年9月投产，并在3日开放媒体参观K2，而关于产能扩充计画，铠侠社长太田裕雄在3日举行的记者会上表示，「为了跟上市场扩张脚步，将进行评估。而在北上工厂新设第3厂房(K3)是评估方案之一」。
铠侠利用四日市工厂和北上工厂生产NAND Flash。
铠侠3日宣布，采用第10代BiCS FLASH 3D快闪记忆体技术的1Tb TLC(Triple-Level-Cell)产品已开始进行样品出货。第10代NAND Flash主要将搭载于铠侠企业级/资料中心用SSD。铠侠指出，第10代NAND Flash产品已利用北上工厂K2开始进行生产。
第10代NAND Flash藉由采用第8代产品开始导入的崭新CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术和OPS(On Pitch Select Gate Drain)技术，实现4.8Gb/秒的NAND介面传输速度，较第8代产品提高33%。此外，藉由将堆叠数增加至332层(第8代为218层)，位元密度增加59%。另外，写入、读取时的功耗效率分别改善了18%、30%，预期将有助于降低数据中心的功耗。
根据MoneyDJ XQ全球赢家系统报价，铠侠3日狂飙9.23%，收83,300日圆，今年迄今股价累计狂飙698%。
铠侠5月15日公布财报资料指出，因AI普及，来自资料中心的需求将持续旺盛，2026年度第一季(2026年4-6月)合并营收预估将飙增410%至1兆7,500亿日圆、合并营益将狂飙近28倍(狂飙2,791%)至1兆2,980亿日圆、合并纯益将狂飙约46倍(狂飙4,649%)至8,690亿日圆，营收、营益、纯益将创下历史新高纪录。
关于NAND Flash市场展望，铠侠表示，2026年位元成长率预估为15~19%、2027年预估将呈现需求超过供给(供不应求)的情况。
（来源：moneyDJ）
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