我们建议聚焦AI硬件升级下PCB产业链周期与成长的共振，短期看，覆铜板及上游材料涨价有望向下游持续传导；中长期看，玻璃基板、IC载板及SLP/mSAP等新技术演进有望打开成长空间。
覆铜板：成本与需求共振，产业链价格传导有望持续。今年以来，建滔积层板在118天内完成六轮提价，调价频次处于近年较高水平，同时电子布、铜箔等核心原材料价格持续上行。我们认为，本轮CCL涨价并非单一成本传导，而是成本约束、供给偏紧与AI需求扩容共同作用的结果，随着材料成本压力逐步显性化，产业链向下游客户顺价的必要性和可行性均在逐步提升，产业链盈利中枢有望进一步修复。
玻璃基板：海外龙头验证推进，国内材料设备环节率先受益。伴随AI芯片封装尺寸持续扩大，Intel、台积电等海外龙头持续推进玻璃基板及CoPoS验证，我们认为，玻璃基板有望成为下一代先进封装的重要材料，国内上游设备材料供应链有望受益。
IC载板：PCB半导体化趋势初现，国内光模块PCB与mSAP方向率先突破。AI服务器、HPC及高端存储需求推动载板需求持续扩容，国内厂商在高端客户导入、量产规模和良率等方面持续追赶；此外，随着800G向1.6T升级，我们认为光模块PCB有望从传统HDI向高阶HDI及SLP类载板演进，我们测算2026/2027年全球光模块PCB市场规模有望达到14.85/31.5亿美元，具备高端产能、mSAP工艺能力和客户卡位的厂商有望率先受益。 风险
AI需求及算力基建需求不及预期、新技术及新工艺落地转化不及预期、海外玻璃基板研发制造和量产进程可能受阻、载板国产化进程放缓。
!Image 2 覆铜板：PCB产业链周期与AI需求共振 CCL市场规模及成本拆分、产业链拆解
CCL（Copper Clad Laminate，亦即覆铜板）是制作 PCB 的基本材料，将增强材料（玻璃纤维布等）浸以树脂胶液形成粘结板，随后将其一面或两面覆以电解铜箔，经热压而成的板状材料，为PCB主要的生产基材。CCL 作为印制电路板制造中的基板材料，对 PCB 主要起互连导通、绝缘和支撑的作用，对电路中信号的传输速度、能量损失和特性阻抗等有较大影响。
图表：PCB&CCL产业链
资料来源：红板科技招股说明书，中国电子电路行业协会CPCA，中金公司研究部
传统服务器升级驱动需求CCL工艺迭代升级：新一代总线标准要求 CCL 材料和工艺迭代，高频高速板需求抬升。PCle4.0 及后续的 PCle5.0，对高频高速板的驱动作用主要为CCL 材料的 Loss 要求提升：Mid Loss 材料适用于 Purley 平台和 Zen 架构，而总线标准提升至 PCle4.0 后，CCL 材料升级为 Low Loss 和 Very Low Loss。 成本约束与需求改善共振，覆铜板报价连续上修
2026年以来，在上游铜箔、电子玻纤布等关键原材料价格上行，以及AI服务器、高速交换机等高多层/高速PCB需求拉动的背景下，覆铜板行业价格进入连续调整阶段。建滔积层板作为全球覆铜板龙头，其调价节奏和覆盖品类具备一定行业风向标意义。根据TPCA及客户调价通知口径，建滔积层板于2026年3月10日、4月3日、4月28日、5月27日、6月16日及7月6日分别进行多轮价格调整，调价覆盖范围从初期的板料、PP 半固化片、铜箔加工费，逐步拓展至 FR-4 全厚度覆铜板；7 月最新一轮纳入 CEM-1/22F 品类，并针对不同厚度板材、不同盎司规格铜箔加工费进行差异化定价调整。我们认为，本轮涨价并非单一原材料涨价的被动传导，而是上游成本抬升、电子玻纤布供应趋紧与下游AI硬件需求改善共同作用的结果。
电子布：价格持续上行，是本轮涨价的核心变量
2026年以来，电子玻纤布价格持续上涨，是推动二季度CCL涨价节奏加快、PP半固化片涨幅扩大的关键因素。以7628电子布为例，价格自2025年三季度低位以来持续上行，上游G75电子纱价格同步抬升，显示纱、布环节供需均偏紧。根据卓创资讯，2026年7月1日7628电子布报价8.6元/米，环比6月上涨1.2元 /米，涨幅较6月0.7元/米进一步扩大。供给端看，电子布扩产受到织布机交付周期、窑炉投放节奏及高端布产能优先分配等因素约束，短期新增有效供给有限；同时，经历前期行业调整后，中小产能出清，行业供给弹性下降。我们认为，电子玻纤布仍是观察后续CCL涨价持续性的核心指标。
图表：2026年以来玻纤价格有所上升（至26年7月）
资料来源：卓创咨询，中金公司研究部 铜箔：铜价高位运行，抬升覆铜板成本底部
2026年初以来，国际铜价整体维持高位震荡，虽较1月阶段高点有所回落，但截至6月下旬仍处于1.3万美元/吨以上的历史较高区间。由于铜箔通常采用“铜价+加工费”的定价模式，铜价中枢上移将直接推升CCL厂采购成本。建滔3月首轮调价中同步上调铜箔加工费，亦反映成本压力已向覆铜板环节传导。结构上，高端极低轮廓铜箔认证周期长、技术壁垒高，全球有效供给仍集中于海外头部厂商，国内高端产能释放相对有限，高速高频板用铜箔加工费仍具备一定支撑。
图表：LME铜价走势（至26年6月）
资料来源：Wind，中金公司研究部
图表：环氧树脂价格走势（至26年6月）
资料来源：Wind，中金公司研究部 树脂：通用环氧树脂压力边际减弱，高端特种树脂仍偏紧
从价格表现看，2026年一季度通用电子级环氧树脂价格曾阶段性上行，但二季度以来逐步回落，当前价格已接近年初水平。因此，通用环氧树脂并非二季度CCL连续涨价的主要驱动。从供给端看，国内通用环氧树脂产能较为充足，竞争格局相对分散，持续涨价基础不强。与之相比，高速高频CCL所需的PPE树脂、碳氢树脂等低介电特种树脂仍以海外供应为主，国产替代和客户验证周期较长，供给弹性有限，仍是高端CCL成本和供应约束的重要来源。
综合来看，本轮CCL涨价是电子布、铜箔、树脂三大核心材料成本支撑多重叠加的结果。电子布在供给弹性下降、纱布环节同步偏紧的格局下价格持续上行，成为抬升成本的核心动力；铜箔受铜价高位运行和高端产品供给约束双重影响，推高了CCL成本中枢；树脂端虽通用品压力边际减弱，但高端特种树脂结构性偏紧巩固了高等级产品的成本刚性。
我们看好成本端多维支撑与下游AI、高速通信、汽车电子等需求修复形成共振，推动本轮CCL涨价具备更强的系统性和持续性。供给端看，高端CCL有效产能仍相对受限，下游PCB厂商对材料供应稳定性和交付安全性的重视程度明显提升，CCL厂商阶段性议价能力增强。随着覆铜板、电子布、铜箔等成本压力持续上行，PCB厂商向终端客户顺价的必要性和可行性均在提升。我们判断，本轮CCL涨价有望逐步向下游PCB环节传导，推动PCB产品报价修复，并带动产业链盈利中枢改善。 高端CCL格局较为集中，国内厂商加速扩产
覆铜板目前主要产能集中在亚洲，中国台湾、中国大陆及日本企业有较大市场份额。根据Prismark报告，2025年全球覆铜板市场规模为187.87亿美元，前五大供应商分别为：台光电（16.2%）、生益科技（13.2%）、建滔积层板（12.5%）、南亚塑胶（7.4%）及斗山（6.1%），前五大供应商占比约55.4%。从细分领域来看，高频高速覆铜板市场占有率与覆铜板整体市场差异较大，用于HDI的覆铜板领域主要由台光电供应，占比约70%，其余为斗山（16%）及生益科技（5%）。
图表：2025年覆铜板市场竞争格局
资料来源：Prismark，中金公司研究部
图表：2024年HDI专用覆铜板市场竞争格局
资料来源：Prismark，中金公司研究部
CCL供给侧扩张与上游一体化同步推进，高端产能仍是核心增量。在AI服务器、高速通信和汽车电子需求拉动下，海外及国内CCL龙头厂商持续加快高端产能布局，同时向电子纱/布、铜箔、粘结片等关键原材料环节延伸，以提升供应链稳定性和成本控制能力。我们认为，本轮扩产并非单纯的通用FR-4产能扩张，而更多聚焦高速高频、高导热、HDI及封装材料等高端品类，反映行业供给结构正在向AI硬件和先进封装需求倾斜。 Rubin高端化需求拉动CCL向低延时、高速方向发展
随着AI算力硬件向高密度、高带宽方向演进，覆铜板（CCL）作为PCB的核心基材，其介电常数与介质损耗为突破传输瓶颈的关键。当前行业普遍以松下Megtron系列作为高频高速CCL的分级标准，数字越大代表介质损耗及介电常数越低，从而能在AI服务器中降低传输延迟、减少信号衰减同时提升散热效率。
当前主流应用与升级路径：目前大多数AI芯片（GB200、Google TPU）仍采用M7/M8级覆铜板材料，（如台光电EM892K2，其电性能在1GHz频率下为Dk≈3，Df≈0.0014）。为适配224Gbps PAM4编码及更高计算密度（如Blackwell、Rubin架构），行业正在迅速向M8+/M9级材料转移，我们认为未来随着信号衰减、延迟最小化、散热高可靠等需求，M9有望成为主流覆铜板材料之一。
PTFE（聚四氟乙烯）是一种高性能合成材料，在PCB（印制电路板）领域，PTFE因其独特的物理、化学和电气性能，成为高频高速场景的核心材料，尤其在AI服务器、5G/6G通信等高端应用中具有不可替代性：
1）电性能优势：PTFE介电常数（Dk≈2.5）及损耗因子（Df≈0.0014），显著优于传统材料如PPO树脂（Dk≈3.0，Df≈0.007），在AI高速信号传输场景中，PTFE可将信号衰减大幅降低；
2）热稳定性：PTFE能在-180℃至260℃宽温域内长期工作，适应数据中心服务器高功率散热需求，同时热膨胀系数较低，减少层压分层风险；
以Rubin VR200 NVL72为例，其Compute tray中配备了两块Rubin GPU与一块Vera CPU，由于其采用无线缆设计，线缆连接器端口也被更换至板对板连接器，连接上半部分的BIANCA架构与下半部分的网卡、BlueField-4模块、PDB模块等。随着AI芯片面积增加、算力密度及功耗提升，对介电常数、介质损耗、散热等要求更为严苛，同时随着高频高速材料如M9、石英布等应用，我们认为单GPU对应CCL价值量有望显著提升。 玻璃基板：先进封装材料迭代新场景 海外龙头验证进展提速，玻璃基板进入关键验证窗口
我们认为玻璃基板有望成为下一代先进封装的重要材料，核心驱动在于AI/HPC芯片封装尺寸持续扩大后，传统有机基板在翘曲控制、尺寸稳定性、互连密度和供电/高速信号传输等方面面临瓶颈。
截至目前，Intel是当前公开推进玻璃基板较为领先的厂商之一，公司2023年披露[1]，其已开展超过十年的玻璃基板研发，计划将完整的玻璃基板解决方案率先用于数据中心、AI、图形等大尺寸、高性能封装场景。技术层面，Intel认为玻璃基板具备更好的热稳定性、机械稳定性和超低平整度，可降低图形失真、提升层间对位精度，并有望实现更高互连密度；同时，玻璃对更高温制程的兼容性有助于未来集成光互连及嵌入式电感/电容，从而改善供电与高速信号传输能力。
Intel Foundry在2025年[2]进一步将玻璃基板与面板级制造方向并列为先进封装未来关键技术，强调其可支持更精细特征尺寸、更大封装尺寸和更高高速I/O性能，并显著缓解有机基板在大尺寸封装中的翘曲问题。根据TrendForce，Intel于2026年NEPCON Japan[3]展示了结合EMIB的玻璃核心基板样品，封装尺寸约78×77mm，采用10-2-10堆叠结构，我们认为，Intel玻璃基板技术已从长期研发进入工程样品验证阶段，但规模化导入仍需观察后续客户验证、良率爬坡及量产时间表。
根据Intel 预计，玻璃基板具有卓越的机械、物理和光学特性，能够构建更高性能的多芯片 SiP，在芯片上多放置50%的裸片，与ABF相比其厚度可以减少一半左右，减薄可以提高信号 传输速度和功率效率，同时在IO间距方面，玻璃基板目前正向2/2um L/S（Line/Space）方向研发，性能损耗方面，由于玻璃的介电常数更低，同时可以承受更高的 温度，其损耗也较小同时也可以避免高温下的图形失真；互联密度方面，由于玻璃基板开孔的 间隔小于100微米，可以使得晶片间的互连密度大幅提升。
图表：玻璃基中介层
资料来源：IEEE，中金公司研究部
此外，台积电在1Q26法说会[4]中提出，目前正在建设CoPoS试产线，同时预计2-3年进入量产，同时根据Digitimes报道[5]，台积电正与ABF基板供应商Ibiden和面板制造商群创光电合作，共同验证玻璃基板在下一代先进封装技术CoPoS中的应用。
同时在6.11日JPCA Show 2026[6]中，台积电对于玻璃基载板技术进行展望，该方案采用glass core上下结合ABF build-up layers的三层结构，测试样品为0.8mm玻璃核心载板、5x Reticle CoW、85×110mm封装尺寸。验证结果显示，玻璃核心载板相较有机载板可改善COP 16%、降低有效CTE 19%、提升有效模量31%，同时在电源完整性方面实现电阻降低27%、电感降低42%。我们认为，玻璃基板在台积电先进封装体系中的定位，已从早期技术储备进入工程验证阶段，其核心价值不只是面板级加工降本，更在于解决大尺寸AI封装的翘曲控制、热应力匹配、结构刚性和供电完整性瓶颈。 上游设备材料持续受益，国内产业链加速布局
玻璃基板加工中的主要耗材包括：玻璃芯板、电镀液、ABF膜等，与IC载板生产环节相比，其工艺流程较为类似，主要差异集中于前端玻璃的生产制造及TGV通孔、填充等环节。
图表：玻璃基板产业链各环节公司拆解
注：由于国内相关供应商仍处于早期，故主要统计海外供应商
资料来源：Yole，各公司官网，中金公司研究部
国内产业链加速布局，材料设备环节率先受益。 国内玻璃基板产业链已逐步覆盖玻璃芯板、TGV成孔及金属化、电镀添加剂、光刻胶、镀膜设备和玻璃基封装载板全制程等环节，产业链完整度持续提升。沃格光电等厂商已具备玻璃基线路板全制程能力，京东方推进大尺寸、高层数玻璃基载板样品开发及送样验证，部分PCB/载板企业亦在开展技术储备。整体来看，国内玻璃基板仍处于产业化早期，多数企业以样品验证和客户导入为主，距离规模化量产及收入贡献仍需时间。相较而言，上游材料和设备环节进展更快，天承科技TGV电镀添加剂已实现批量出货，艾森股份负性光刻胶已获得玻璃基封装量产订单。 玻璃基板工艺——TGV为核心壁垒
玻璃基板工艺：TGV成孔与金属化是核心壁垒。 从工艺流程看，玻璃基板并非简单替代ABF载板，而是在玻璃芯板上叠加TGV通孔、种子层沉积、电镀填孔及SAP/mSAP增层布线等工艺。其核心差异在于：传统ABF载板以有机材料为核心层，主要通过机械钻孔/激光钻孔及增层线路实现上下互连；玻璃基板则需先在玻璃芯板中形成高深宽比TGV，并对通孔进行金属化，以实现芯片侧与PCB侧的垂直互连。由于玻璃本身具备绝缘性，TGV侧壁通常无需像TSV一样额外沉积绝缘层，有助于简化部分制程，但玻璃的脆性、高深宽比通孔加工、孔壁金属附着力和无空洞填铜仍显著提升工艺难度。
我们认为，玻璃基板的量产壁垒主要集中在TGV环节：一是成孔过程需兼顾高效率、低微裂纹和尺寸一致性；二是孔内金属化需要解决种子层连续性、铜填充空洞及热循环可靠性；三是大尺寸玻璃面板在后续层压、电镀和CMP过程中需控制翘曲、应力和碎片风险。因此，TGV成孔、孔内金属化、平坦化及大尺寸面板级良率控制，是决定玻璃基板能否规模化导入先进封装的关键。 IC载板：PCB半导体化趋势初现，供应链持续紧缺 IC 载板为半导体封装中的关键材料
在封装过程中，IC载板介于芯片与PCB 之间，实现信号传输连接，同时为芯片提供保护和支撑并形成散热通道，使封装后的芯片达到 符合要求的尺寸。据Prismark预测，到2026年，全球IC封装基板行业规模有望达到214亿美元。 从载板材料上看，主要分为BT/ABF载板两类，主要区别在于其所用的介质及性能的不同：
► BT载板：具有较高的玻璃化温度、优秀的介电性能、低热膨胀率、良好的力学特征等性能，以BT树脂体系为核心绝缘材料，具备较好的耐热性和尺寸稳定性，主要应用于存储、射频、手机AP、SiP等领域。
► ABF载板:以ABF增层膜作为关键介质材料，具备更高层数、更细线路和更高布线密度优势，主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高性能运算芯片。
从载板工艺区分，IC载板又可以分成两种为：BGA（Ball Grid Array）与 CSP（Chip Scale Package），其中 BGA 为球栅阵列封装，优点为 I/O 间距大、可靠性高、散热性能较 好，广泛用于高功耗、高集成度芯片，其中FCBGA 基板具有大尺寸、高叠层和精细线路 3 个方面的特点。 载板工艺流程
SAP/mSAP支撑高密度互连，ABF载板向高层数、细线路演进。封装载板的核心工艺在于通过增层介质、微孔加工和图形电镀实现芯片与PCB之间的高密度互连。目前主流精细线路工艺包括SAP和mSAP。两者均以“薄铜种子层+图形电镀”为核心思路：先在介质层上形成导电种子层，再通过干膜曝光显影定义线路图形，随后进行电镀铜增厚、退膜及蚀刻，最终形成精细线路。区别在于，SAP通常从极薄种子铜层开始，加工后残铜蚀刻量较小，更适合更细线宽线距；mSAP通常基于较薄铜箔或较厚种子铜层进行改良加工，工艺窗口相对更宽，广泛用于高端HDI、SLP及部分BT载板等产品。 PCB载板化趋势初显，mSAP或成潜在主流工艺路径 CoWoP或成为先进封装新工艺
由于传输路径短及散热性能较优，CoWoP或将成为潜在的新工艺之一。目前英伟达等应用较多的主流封装方式为先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的形式将GPU与HBM封装在上，再把芯片与基板连接（oS），核心是将不同的芯片堆叠实现多芯片互联，同时其采用中介层与 LSI（本地硅互连）进行芯片间互连，与用于电源和信号传输的 RDL 层灵活集成，同时将GPU与多颗HBM等键合于IC载板上，即台积电的CoWoS-L工艺。未来我们认为随着封装形式及材料的发展，CoWoP由于具备更短的信号路径和更低的插入损耗，同时散热性能较好，或将成为潜在的新工艺之一，但同时 如何将PCB的线宽线距（L/S）进一步缩小、热膨胀系数（CTE）的匹配、以及在面积增加后如何实现较高的良率问题，或仍将成为生产过程中较大的挑战。根据QY Research，2025年全球ABF载板市场规模约为57.08亿美元，2025-2031年市场复合年增长率为9.8%，预计2031年行业市场规模将达到 100.03 亿美元，主要应用于GPU、ASIC、CPU等高运算性能芯片，我们认为若未来CoWoP成为主流的封装工艺，PCB市场规模有望进一步增长。
图表：CoWoP或将成为潜在新工艺之一
资料来源：Semivision，中金公司研究部 1.6T光模块驱动SLP需求升级
随着光模块速率由800G向1.6T演进，PCB在布线密度、高频高速信号完整性、散热能力及良率稳定性等方面的要求同步提升。当前800G光模块PCB仍以HDI方案为主；我们认为随着I/O密度、互连复杂程度进一步提升，SLP方案的渗透率有望提升，同时mSAP凭借更优的线宽线距密度、更低的线路损耗及更高的集成度，有望在高端光模块PCB中逐步渗透。
根据我们测算，2026/2027年全球光模块相关PCB市场规模有望达到约14.85/31.5亿美元。我们认为随着光模块由800G向1.6T升级，其PCB有望从传统HDI向SLP类载板演进，mSAP等细线路工艺渗透率同步提升，具备mSAP工艺能力、SLP产品经验及高端产能储备的厂商有望率先受益。
图表：光模块PCB市场规模测算
资料来源：中金公司研究部 相关厂商及涨价情况
从上游核心材料看，IC载板产业链价格上行信号已逐步显现。受AI算力芯片、高端存储需求增长拉动，高端载板需求持续扩容，此外，特种树脂、铜箔、玻纤布、功能薄膜等关键原材料供给偏紧，制造成本持续抬升。2026年以来，海外多家具备高端材料供给能力和较强议价能力的厂商陆续调价，涨价范围覆盖基底板材、核心绝缘介质、导电材料及配套功能薄膜等关键环节。
本轮上游材料涨价呈现两大特征：一是涨价集中于高壁垒、高集中度细分品类，ABF薄膜、载体铜箔等材料全球有效供给相对刚性，供应商议价能力较强，价格传导阻力相对较小；二是涨价节奏与下游AI需求景气高度相关，高端载板所需核心介质和导电材料涨幅明显高于通用配套材料，反映供需缺口仍是价格上行的核心驱动。我们认为，随着上游材料成本持续抬升，价格压力有望逐步向载板制造环节传导，推动高端IC载板产品均价上行，并支撑产业链盈利中枢改善。 风险提示 Source 文章来源
本文摘自：2026年7月10日已经发布的《AI进化论（20）：从覆铜板涨价到玻璃基板及载板提速，聚焦周期与成长共振》
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