📌 一句话摘要 三星氮化镓功率半导体代工线在高温可靠性测试中失效，导致其商业化生产可能再次推迟至 2026 年后。 📝 详细摘要 三星在龙仁器兴园区建立了 8 英寸氮化镓代工线，月产能约 1300‑1500 片晶圆，近期对无厂半导体公司设计的芯片进行试产。测试显示，部分芯片在 100‑200℃环境下约 1000 小时后停止工作，暴露出高温可靠性问题。行业消息人士指出，问题可能源于为实现 2‑3V 阈值电压而进行的工艺调整，导致阈值电压过低，增加器件对微小电流的敏感度。原计划 2025 年底投产的产线因市场弱势已推至 2026 年底，此次可靠性问题可能再延几个月。一些客户正在评估格芯、力积电
📌 一句话摘要
三星氮化镓功率半导体代工线在高温可靠性测试中失效，导致其商业化生产可能再次推迟至 2026 年后。
📝 详细摘要
三星在龙仁器兴园区建立了 8 英寸氮化镓代工线，月产能约 1300‑1500 片晶圆，近期对无厂半导体公司设计的芯片进行试产。测试显示，部分芯片在 100‑200℃环境下约 1000 小时后停止工作，暴露出高温可靠性问题。行业消息人士指出，问题可能源于为实现 2‑3V 阈值电压而进行的工艺调整，导致阈值电压过低，增加器件对微小电流的敏感度。原计划 2025 年底投产的产线因市场弱势已推至 2026 年底，此次可靠性问题可能再延几个月。一些客户正在评估格芯、力积电（PSMC）和 X-FAB 等替代代工。三星代表称目前仍处于量产前准备阶段，这些发现属于正常的试错过程，尚未确定是否构成缺陷。
💡 主要观点
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高温可靠性测试失效：部分测试芯片在 100‑200℃约 1000 小时后停止工作。
氮化镓器件需在高温高压下稳定运行，此故障表明当前工艺可能存在缺陷，直接影响其在汽车、机器人和数据中心等场景的应用。
工艺调整导致阈值电压过低：为实现 2‑3V 目标阈值电压，可能牺牲了器件寿命。
过低的阈值电压使器件对微小电流更敏感，增加运行错误风险，这是可靠性问题的潜在根源。
商业化时间再次推迟：原计划 2025 年底产线，因市场弱势推至 2026 年底，现因可靠性问题可能再延几个月。
三星将资源倾向存储业务，竞争对手（英飞凌、意法、德州仪器、英诺赛科）已实现 GaN 商业化出货一到两年，三星的进入时间因而更晚。
客户考虑替代代工：一些无厂半导体公司正在评估格芯、力积电、X-FAB 等其他代工伙伴。
化合物半导体光罩成本较低，多家代工合作负担较轻，这使得客户在不确定性下更容易转向其他供应商。
三星表示仍在量产前准备，问题属正常开发挑战。
公司代表称目前判断这些发现是否构成缺陷尚早，仍在解决试错过程中的常见问题。
💬 文章金句
- 这是在大规模生产之前解决试错问题过程的一部分，现在判断这些发现是否构成缺陷还为时过早。
- 部分测试芯片在长时间高温条件下未能正常运行，从而暴露出了这一问题。
📊 文章信息
AI 初评：78
来源：半导体行业观察
作者：半导体行业观察
分类：商业科技
语言：中文
阅读时间：7 分钟
字数：1517
标签：
氮化镓, 功率半导体, 代工, 可靠性测试, 三星
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