● DRAM 价格，再创新高

📌 一句话摘要 本文报道 7 月 DRAM 和 NAND 闪存价格创历史新高，分析供应紧张和持续需求推动价格上涨，并预测第三季度内存价格将继续上涨但增速放缓。 📝 详细摘要 根据 DRAMeXchange 数据，7 月份基准 PC 级 DDR4 8Gb 内存价格达到 24 美元，较 6 月上涨

● DRAM 价格狂飙的一年

📌 一句话摘要 本文编译自 Tom's Hardware，回顾过去一年 AI 浪潮导致 DRAM 内存价格暴涨、Crucial 退出消费级市场、DDR4 回归等市场现象，并分析未来短缺可能加剧的现状。 📝 详细摘要 文章以 2026 年 8 月前夕为时间节点，回顾了 DRAM 内存市场在过去一年

● 又一模组厂预警：面临“无货可卖”风险

📌 一句话摘要 文章指出，因三大 DRAM 厂将新产能主要用于 AI 产品，导致通用内存供应持续下降，价格走高，供需失衡可能延续至 2027 年上半年，模组厂正在备货以应对无货可卖风险。 📝 详细摘要 文章报道了存储模组厂宇瞻科技的最新预警：全球三大 DRAM 原厂的新增产能几乎全部流向 HBM

● 再探华强北：内存价格松动，经销商快进快出

📌 一句话摘要 文章通过上海证券报记者对华强北的实地走访，描述了 7 月以来内存价格回升、硬盘显卡 CPU 价格分化及经销商因价格波动和终端需求疲软而采取快进快出的经营策略，并指出 AI 需求导致存储产能向服务器倾斜是价格上涨的深层原因。 📝 详细摘要 上海证券报记者走访华强北后报道，7 月以来

● 存储三巨头三星、海力士、美光被告

📌 一句话摘要 三星、SK 海力士与美光在美国遭遇集体诉讼，被指借 HBM 转型协同压缩传统 DRAM 产能，导致价格四年暴涨约 700%，苹果提价被引为直接损害案例。 📝 详细摘要 文章报道了三星、SK 海力士与美光于 2026 年 6 月 25 日在美国加州联邦法院被提起集体诉讼的事件。原告

● 前三星芯片负责人：明年内存将降价

📌 一句话摘要 前三星半导体负责人庆桂显预测，受中国产能扩张影响，内存价格可能在 2026 年下半年或 2027 年上半年开始下降，并警告韩国半导体生态系统的脆弱性。 📝 详细摘要 本文报道了前三星半导体总裁庆桂显在韩国国家工程院论坛上的观点。他指出，当前 AI 需求驱动的内存供不应求局面可能因

● 华强北部分 DDR4 价格上涨 20%，内存价格还会集体大涨吗？

📌 一句话摘要 华强北渠道 DDR4 内存价格近期上涨约 20%，受供给收缩和三星潜在罢工影响，但行业分析师认为整体市场尚未出现急涨趋势。 📝 详细摘要 文章报道了深圳华强北渠道市场 DDR4 内存条价格近期上涨约 20% 的现象，以 16GB DDR4 为例，价格从 600 元左右涨至 750