InP，为何短缺？

📌 一句话摘要

本文分析磷化铟（InP）短缺的深层成因：AI 数据中心架构从 Scale Out 走向 Scale Up 与 Scale In，光连接需求呈数量级放大，而 InP 制造体系门槛高、扩产周期长，短期供需缺口难以快速弥合。

📝 详细摘要

本文围绕磷化铟（InP）供应短缺展开分析。文章开篇引用 Lumentum CEO 的警告，称 InP 紧缺程度可能超过 DRAM 或 NAND，出货量比客户需求低 30% 以上，并指出英伟达已分别向 Lumentum 与 Coherent 投资 20 亿美元抢产能。随后从需求和供给两端拆解短缺成因：需求端，AI 数据中心架构正从 Scale Out 走向 Scale Up 甚至 Scale In，光连接需求量按 1、10、100、1000 的数量级放大，机架内光互联将把 InP 激光器需求推向数亿颗；供给端，InP 属于高门槛化合物半导体，无法复制硅晶圆厂模式，全球成熟产能集中、扩产周期长，且需要衬底、外延、芯片加工到封测全产业链协同提升。文章还分析了短中期缓解路径——3 英寸向 6 英寸晶圆升级，以及 CPO 对需求结构的影响：InP 不会退出物料清单，而是更多转向高功率连续波激光器。最后引用 LightCounting 数据，提示供需缺口的持续时间仍取决于 GPU 与光器件供应的整体节奏。

💡 主要观点

- AI 数据中心架构演进正把光连接需求放大 10 至 100 倍，是 InP 需求爆发的根本驱动。 从 Scale Out 到 Scale Up 再到 Scale In，光连接需求量按 1、10、100、1000 增长；单个 AI 机架采用光互联方案可能需要约 8000 颗激光器。

InP 短缺本质是制造体系积累不足，而非单纯资本投入不足。 InP 是专业化化合物半导体，无法复制硅晶圆厂模式；全球成熟产能有限，新产线需要工艺积累与良率爬坡，整个产业链需同步扩产。

短期缓解产能主要靠 3 英寸向 6 英寸晶圆升级，而非新建产线。 6 英寸晶圆可将单片器件产出提升约 4 倍、成本降低超 60%；Coherent、住友电工正在推进，Lumentum 新厂要到 2028 年才能量产。

CPO 不会消除 InP 需求，而是转向高功率连续波激光器。 硅光难以高效发光，CPO 仍需 InP 光源；住友电工预计数据中心光器件中 CW 激光器占比将从 2024 年 24% 升至 2028 年 69%。

供需缺口持续时间存在不确定性，不能仅凭 InP 需求判断。 LightCounting 估计短缺有望在 2026 年底缓解，但若 GPU 供应增长，光器件短缺可能延续至 2027 年，需视整体供应节奏而定。

💬 文章金句

- InP 当前面临的供应瓶颈，本质上是制造能力积累不足带来的结构性问题。

• 即使采用 CPO 技术，InP 光源也不会从物料清单中消失——而是需求形式转向了高功率连续波激光器。
• 如果此前几个阶段的需求规模按照"1、10、100"增长，那么 Scale In 可能达到"1000"的量级。

📊 文章信息

AI 初评：78

来源：半导体行业观察

作者：半导体行业观察

分类：商业科技

语言：中文

阅读时间：20 分钟

字数：4781

标签： 半导体, 磷化铟, 光通信, 光互联, CPO

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