● 新内存战争

📌 一句话摘要 本文梳理三星、SK 海力士与长鑫在内存涨价周期中的技术布局与战略博弈，揭示存储行业从消费端到数据中心全链条的供需失衡与未来格局。 📝 详细摘要 文章以苹果压价长鑫遭拒为引子，展开当前存储行业的全景图。在 AI 需求驱动下，内存涨价潮预计延续至 2028 年，三星、SK 海力士、闪

● 三星首发 400 层 NAND，公布路线图，巨头争艳 FMS

📌 一句话摘要 本文汇总 2026 年 FMS 大会上三星、铠侠/闪迪、Marvell、英伟达等厂商发布的最新存储与内存技术，重点介绍三星 400+ 层 V10 BV-NAND、zHBM 架构、铠侠/闪迪 BiCS10 QLC NAND、Marvell 光子架构内存池及英伟达 cuFile 开源与

● DRAM 价格，再创新高

📌 一句话摘要 本文报道 7 月 DRAM 和 NAND 闪存价格创历史新高，分析供应紧张和持续需求推动价格上涨，并预测第三季度内存价格将继续上涨但增速放缓。 📝 详细摘要 根据 DRAMeXchange 数据，7 月份基准 PC 级 DDR4 8Gb 内存价格达到 24 美元，较 6 月上涨

● SK 海力士、闪迪联手推动 HBF

📌 一句话摘要 SK 海力士与闪迪通过 OCP 联合发布 HBF 标准，定位为介于 SSD 和 HBM 之间的 AI 存储新方案，具备大容量与成本优势，预计将改变存储竞争格局。 📝 详细摘要 文章报道 SK 海力士与闪迪通过开放计算项目（OCP）推出首套 HBF（高带宽闪存）标准规范。HBF 被

● 兆易创新存储矩阵亮相慕展，解析 AI 时代 Flash 增长逻辑

📌 一句话摘要 文章解析 AI 驱动的存储市场行情，重点介绍兆易创新如何通过 EEPROM、高速 NOR Flash 及 SLC NAND 布局抢占数据中心、车载及具身智能等多场景增长机会。 📝 详细摘要 文章指出，2026 年上半年存储市场受 AI 算力扩容推动，NOR Flash 与 SLC

● 瑞银：存储芯片供应缺口将持续至 2028 年

📌 一句话摘要 瑞银报告指出，受 AI 需求驱动，全球存储芯片市场结构性供应不足至少持续至 2028 年中期，HBM 需求将激增，但客户承受能力和 AI 资本支出可持续性是主要风险。 📝 详细摘要 本文基于瑞银 7 月发布的《存储芯片月度报告》，综述全球存储芯片市场最新数据与展望。文章提到，月销

● 铠侠评估新建工厂以应对 AI 驱动的 NAND 需求增长

📌 一句话摘要 铠侠社长表示，因 AI 普及带动数据中心需求增加，公司正评估新建北上工厂第三厂房（K3），并已开始出货采用 332 层堆叠技术的第 10 代 NAND Flash 样品。 📝 详细摘要 本文报道了日本 NAND Flash 大厂铠侠的最新产能扩充计划与技术进展。铠侠社长太田裕雄在

● 铠侠，第十代 NAND 送样

📌 一句话摘要 铠侠宣布第十代 BiCS FLASH 3D NAND 芯片已送样，计划 2027 年量产，技术指标显著提升，AI 推理需求被视为核心驱动力。 📝 详细摘要 本文报道了铠侠第十代 NAND 芯片送样的关键进展。新品采用 CBA 和 OPS 技术，接口速度达 4.8Gb/s，堆叠 3

● 内存涨价，新变数

📌 一句话摘要 本文报道全球存储市场涨价趋势，重点分析三星、SK 海力士和美光在长期供应协议中取消价格上限等新策略，指出卖方市场主导权已彻底确立。 📝 详细摘要 全球半导体存储市场进入新一轮景气周期，DRAM 与 NAND Flash 价格持续上涨。文章报道三星计划 Q3 DRAM 涨 20%，

● 铠侠第十代 NAND 送样，CEO 喊话“需求依然旺盛，或增加资本支出”，股价深 V 大反弹

📌 一句话摘要 铠侠宣布向 AI 数据中心送样第十代 NAND 芯片，CEO 强硬表态需求没有减弱迹象，股价当日深 V 反弹逾 10%；文章同时梳理技术规格、市场份额对比及韩系竞争对手的巨额扩产计划。 📝 详细摘要 本文报道铠侠控股第十代 BiCS FLASH 3D NAND 芯片送样进展与 C

● 股价半年飙涨 858%，闪迪目标价被大幅上调至 3000 美元

📌 一句话摘要 闪迪股价上半年涨 858%，伯恩斯坦将其目标价大幅上调至 3000 美元，主因是 NAND 存储长期供货协议模式转向固定定价与客户财务承诺，显著降低周期风险。 📝 详细摘要 文章报道闪迪（SanDisk，SNDK）股价半年飙涨 858%后，伯恩斯坦将其目标价从 1700 美元上调

● 铠侠，惊天逆袭！

📌 一句话摘要 本文回顾铠侠从低谷到市值超越丰田的逆袭历程，剖析其 3D NAND 技术优势与进军 3D DRAM 的布局，并分析 AI 存储需求如何成就这场资本神话。 📝 详细摘要 文章以铠侠近年的业绩反转为主线，先介绍其上市后股价飙涨 50 倍、市值超越丰田的背景，引用财务数据（单季利润预增

● 存储巨头，披露新专利

📌 一句话摘要 闪迪新专利提出将 NAND 闪存直接集成到计算芯片内部，与 HBM 分工协作，以缓解 AI 训练中的 HBM 供应紧张和容量限制问题。 📝 详细摘要 文章报道了闪迪（SanDisk）最新披露的一项专利，其核心思路是利用 CBA 堆叠技术将 NAND 闪存集成到 GPU 或 AI

● 铠侠不会大举扩产

📌 一句话摘要 本文编译自日经，报道铠侠在 NAND 闪存需求旺盛之际，选择保守的资本支出策略，以平衡增长与产能过剩风险。 📝 详细摘要 文章编译自日经，聚焦日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia）的战略选择。在 AI 驱动下 NAND 闪存需求激增、价格飙升的背景下，铠侠并未如市场预期般大举扩产

● 铠侠下一代闪存，为何是 332 层？

📌 一句话摘要 铠侠详解第十代 BiCS FLASH 为何选择 332 层而非盲目堆叠，通过平面缩减与 CBA 技术实现成本、性能与可靠性的平衡优化。 📝 详细摘要 本文基于铠侠在 2026 年投资者日上的官方披露，详细介绍了第十代 BiCS FLASH 的技术决策与性能目标。核心论点是：在竞争

● 又一存储产品，年内或再涨 120%

📌 一句话摘要 受三星、SK 海力士等原厂将产能转向 HBM 等高端产品影响，利基型存储（MLC/SLC NAND、利基 DRAM）供给骤减，价格持续暴涨，预计下半年仍有 100%-120%的上涨空间，国产利基存储厂商迎来业绩修复。 📝 详细摘要 本文深入分析了利基型存储市场（包括 MLC/SL

● 美光 CEO：AI 才刚开始，但内存已经不够了，今年 DRAM 与 NAND 需求或吞噬过半市场

📌 一句话摘要 美光 CEO 表示 AI 产业仍处早期阶段，但 DRAM 和 NAND 内存供给已极度紧张，预计今年 AI 需求将吞噬过半市场，且供给瓶颈在 2028 年前难以缓解。 📝 详细摘要 本文基于美光科技 CEO Sanjay Mehrotra 的 CNBC 采访及公司最新财报，分析了

● 长三角首台“华龙一号”核电机组成功并网；第二艘国产大型邮轮完成坞内起浮丨智能制造日报

📌 一句话摘要 长三角首台“华龙一号”核电机组成功并网，国产大型邮轮完成坞内起浮，三星与英伟达合作研发铁电 NAND 闪存。 📝 详细摘要 本文报道了长三角地区首台“华龙一号”核电机组在浙江苍南成功并网发电，标志着该机组进入带负荷试运行阶段，预计 2026 年上半年正式投产。同时，第二艘国产大型